CSD16340Q3

Texas Instruments
595-CSD16340Q3
CSD16340Q3

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 12

Turime sandėlyje:
12
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 500
Tikėtina 2026-04-22
7 500
Tikėtina 2026-05-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
12
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,44 € 1,44 €
0,92 € 9,20 €
0,611 € 61,10 €
0,482 € 241,00 €
0,44 € 440,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,404 € 1 010,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
1,82 €
Min.:
1

Panašus Produktas

Texas Instruments CSD16340Q3T
Texas Instruments
MOSFETs 25V -55 to 150 A 595 -CSD16340Q3 A 595-C A 595-CSD16340Q3

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
60 A
4.5 mOhms
- 8 V, 10 V
600 mV
6.5 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Configuration: Single
Gamybos šalis: PH
Distribucijos šalis: TW
Kilmės šalis: TW
Rudens laikas: 5.2 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 16.1 ns
Serija: CSD16340Q3
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 13.8 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 4.8 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel Power MOSFET
Vieneto Svoris: 44,400 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and is optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD16340Q3 NexFET Power MOSFET is resistance rated at Vgs = 2.5V and also features ultra low Qg and Qgd. The TI CSD16340Q3 NexFET offers low thermal resistance and is also ideal for control or synchronous FET applications.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.