Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TSM60NE160CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE160CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE160CERVG
Price: 1.66 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

821-TSM60NE160CERVG

Mfr. #:

TSM60NE160CE RVG

Gam.:

Taiwan Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

TSM60NE160CE RVG Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Taiwan Semiconductor TSM60NE160CE RVG

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 6000 Užsakoma po 3000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	1,66 €	9 960,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Taiwan Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PDFN-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	21 A
RDS On - Drain-Source Varža:	160 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	6 V
Qg – vartų krūvis:	42 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	173 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	18 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	70 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	47 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	31 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	200 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TSM60NE160CE RVG Duomenų Lapas

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.