TSCDF08065G1

Name: Taiwan Semiconductor TSCDF08065G1
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDF08065G1
Price: 3.37 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

821-TSCDF08065G1

Mfr. #:

TSCDF08065G1

Gam.:

Taiwan Semiconductor

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai 8A, 650V, SiC Schottky Diode

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

TSCDF08065G1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Taiwan Semiconductor TSCDF08065G1

Prieinamumas: 998

Turime sandėlyje:: 998 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 35 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,37 €	3,37 €
	2,73 €	27,30 €
	1,98 €	198,00 €
	1,74 €	870,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Taiwan Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220AC-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	8 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.35 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	72 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	20 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Taiwan Semiconductor
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	TW
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Vr - atvirkštinė įtampa:	455 V
Vieneto Svoris:	1,650 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.