Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BC847SH RFG

Name: Taiwan Semiconductor BC847SH RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BC847SHRFG
Price: 0.21 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

821-BC847SHRFG

Mfr. #:

BC847SH RFG

Gam.:

Taiwan Semiconductor

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 5 984 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Taiwan Semiconductor
Gaminio kategorija:	Dvipoliai tranzistoriai – BJT
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SOT-363-6
Tranzistoriaus poliškumas:	NPN
Configuration:	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	650 mV
Pd - skaidos galia:	200 mW
Gain Juostos pločio produktas fT:	200 MHz
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Taiwan Semiconductor
Nuolatinė kolektoriaus srovė:	100 mA
DC kolektoriaus / bazės gain, hfe, min:	110
DC srovės gain, hFE, maks.:	630
Gaminio tipas:	BJTs - Bipolar Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	BC847SH
Vieneto Svoris:	7 mg