STWA65N60DM6

STMicroelectronics
511-STWA65N60DM6
STWA65N60DM6

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 589

Turime sandėlyje:
589 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 589 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
6,19 € 6,19 €
4,58 € 45,80 €
3,70 € 370,00 €
3,21 € 1 926,00 €
2,81 € 3 372,00 €
10 200 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
71 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Gaminio tipas: MOSFETs
Serija: DM6
Gamyklinės pakuotės kiekis: 600
Subkategorija: Transistors
Vieneto Svoris: 6 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.