STU2N95K5

STMicroelectronics
511-STU2N95K5
STU2N95K5

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 602

Turime sandėlyje:
1 602 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,72 € 1,72 €
0,877 € 8,77 €
0,71 € 71,00 €
0,589 € 294,50 €
0,523 € 523,00 €
0,432 € 1 296,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
2 A
5 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 32.5 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 13.5 ns
Serija: STU2N95K5
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 20.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 8.5 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 340 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.