STPSC406B-TR

STMicroelectronics
511-STPSC406B-TR
STPSC406B-TR

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai 600 V Power Schottky Diode
Užbaikite savo projektą

Eksploatacijos Laikotarpis:
NRND:
Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STPSC406B-TR

Prieinamumas: 680

Turime sandėlyje:
680 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
19 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
2,16 € 2,16 €
1,38 € 13,80 €
0,955 € 95,50 €
0,762 € 381,00 €
0,741 € 741,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,641 € 1 602,50 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Vieneto Svoris: 1,700 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.