STPSC30G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC30G12WL
STPSC30G12WL

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 5

Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
25 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
11,65 € 11,65 €
8,43 € 84,30 €
8,42 € 5 052,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
1.35 V
250 A
15 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 600
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Vieneto Svoris: 6 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.