Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STP11NK50Z

Name: STMicroelectronics STP11NK50Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11NK50Z
Price: 3.36 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STP11NK50Z

Mfr. #:

STP11NK50Z

Gam.:

STMicroelectronics

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Turime sandėlyje:: 528 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	500 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	10 A
RDS On - Drain-Source Varža:	520 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	49 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	125 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	SuperMESH
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	15 ns
Tiesioginis laidumas - min:	7.7 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	18 ns
Serija:	STP11NK50Z
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	41 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	14.5 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel Power MOSFET
Vieneto Svoris:	2 g