Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STL8DN10LF3

Name: STMicroelectronics STL8DN10LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8DN10LF3
Price: 2.28 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STL8DN10LF3

Mfr. #:

STL8DN10LF3

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STL8DN10LF3 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STL8DN10LF3

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 5 891
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 13

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	2,28 €	2,28 €
	1,47 €	14,70 €
	1,03 €	103,00 €
	0,832 €	416,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,693 €	2 079,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerFLAT-5x6-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	35 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1 V
Qg – vartų krūvis:	20.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	70 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Prekinis pavadinimas:	STripFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Dual
Gaminio tipas:	MOSFETs
Serija:	STL8DN10LF3
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tranzistoriaus tipas:	2 N-Channel
Vieneto Svoris:	76 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STL8DN10LF3 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.