Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STL66N3LLH5

Name: STMicroelectronics STL66N3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL66N3LLH5
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STL66N3LLH5

Mfr. #:

STL66N3LLH5

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STL66N3LLH5 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STL66N3LLH5

Prieinamumas: 196

Turime sandėlyje:: 196 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	1,71 €	1,71 €
	1,09 €	10,90 €
	0,738 €	73,80 €
	0,586 €	293,00 €
	0,538 €	538,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,474 €	1 422,00 €
	0,47 €	2 820,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerFLAT-5x6-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	30 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	21 A
RDS On - Drain-Source Varža:	5.8 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 22 V, 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Qg – vartų krūvis:	12 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	4.8 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Prekinis pavadinimas:	STripFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4.5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	14.5 ns
Serija:	STL66N3LLH5
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	22.7 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	9.3 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	76 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STL66N3LLH5 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET V™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with an updated gate structure. The advanced planar technology is ideal for high efficiency, improving Figure of Merit (FoM). These STMicroelectronics MOSFETs exhibit the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications. The advanced planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.