STI33N65M2

STMicroelectronics
511-STI33N65M2
STI33N65M2

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1000   Užsakoma po 1000
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,44 € 1 440,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
117 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
41.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: SG
Rudens laikas: 9 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 11.5 ns
Serija: STI33N65M2
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 72.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 13.5 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 2,387 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.