Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STH140N8F7-2

Name: STMicroelectronics STH140N8F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH140N8F7-2
Price: 3 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STH140N8F7-2

Mfr. #:

STH140N8F7-2

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STH140N8F7-2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STH140N8F7-2

Prieinamumas: 282

Turime sandėlyje:: 282 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,00 €	3,00 €
	1,96 €	19,60 €
	1,50 €	150,00 €
	1,26 €	630,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	1,09 €	1 090,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	H2PAK-2
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	80 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	90 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	96 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	200 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	STripFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	44 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	51 ns
Serija:	STH140N8F7-2
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	82 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	26 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	4 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STH140N8F7-2 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.