Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 5.68 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STGWA80H65DFBAG

Mfr. #:

STGWA80H65DFBAG

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STGWA80H65DFBAG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG

Prieinamumas: 597

Turime sandėlyje:: 597 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,68 €	5,68 €
	3,25 €	32,50 €
	2,70 €	324,00 €
	2,38 €	1 213,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.65 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	- 20 V, 20 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	120 A
Pd - skaidos galia:	535 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	IGBTs
Vieneto Svoris:	6,100 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STGWA80H65DFBAG Duomenų Lapas (PDF)

PCN

SPICE Models

SPICE Model (Zip)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.