Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STGWA40H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA40H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40H120DF2
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STGWA40H120DF2

Mfr. #:

STGWA40H120DF2

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STGWA40H120DF2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STGWA40H120DF2

Prieinamumas: 737

Turime sandėlyje:: 737 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,13 €	5,13 €
	2,91 €	29,10 €
	2,42 €	242,00 €
	2,28 €	2 736,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	2.5 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	- 20 V, 20 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	80 A
Pd - skaidos galia:	468 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	STGWA40H120DF2
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max:	80 A
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	250 nA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	600
Subkategorija:	IGBTs
Vieneto Svoris:	38 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STGWA40H120DF2 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.