Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STGW8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW8M120DF3
Price: 4.01 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STGW8M120DF3

Mfr. #:

STGW8M120DF3

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STGW8M120DF3 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STGW8M120DF3

Prieinamumas: 344

Turime sandėlyje:: 344 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	4,01 €	4,01 €
	2,65 €	26,50 €
	2,07 €	207,00 €
	1,84 €	1 104,00 €
	1,57 €	1 884,00 €
	1,48 €	4 440,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.85 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	- 20 V, 20 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	16 A
Pd - skaidos galia:	167 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	M
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	250 uA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	600
Subkategorija:	IGBTs
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STGW8M120DF3 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.