STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 258

Turime sandėlyje:
258 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
7,10 € 7,10 €
5,17 € 51,70 €
4,31 € 431,00 €
3,59 € 2 154,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
470 W
- 55 C
+ 175 C
STGW80H65DFB-4
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: CN
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 600
Subkategorija: IGBTs
Vieneto Svoris: 4,430 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99