STGW30H65FB

STMicroelectronics
511-STGW30H65FB
STGW30H65FB

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 90

Turime sandėlyje:
90
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
600
Tikėtina 2026-08-24
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,55 € 3,55 €
2,00 € 20,00 €
1,38 € 138,00 €
1,27 € 762,00 €
1,24 € 1 488,00 €
1,20 € 3 600,00 €
1,19 € 6 426,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.75 V
- 20 V, 20 V
30 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30H65FB
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max: 60 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: 250 nA
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 600
Subkategorija: IGBTs
Vieneto Svoris: 38 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.