STF13N60DM2

STMicroelectronics
511-STF13N60DM2
STF13N60DM2

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 836

Turime sandėlyje:
836 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
2,35 € 2,35 €
1,16 € 11,60 €
1,03 € 103,00 €
0,859 € 429,50 €
0,744 € 744,00 €
0,732 € 1 464,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
310 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: CN
Rudens laikas: 10.6 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 4.8 ns
Serija: STF13N60DM2
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 42.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 12.3 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 2 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.