STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 3000   Užsakoma po 3000
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
1,36 € 4 080,00 €
1,33 € 7 980,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Tray
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
2,59 €
Min.:
1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Įėjimo įtampa - maks.: 20 V
Įėjimo įtampa - min.: 3.3 V
Maksimalus išjungimo delsos laikas: 60 ns
Maksimalus įjungimo delsos laikas: 60 ns
Jautrus drėgmei: Yes
Išvesties Įtampa: 520 V
Gaminio tipas: Gate Drivers
Vėlinimo trukmė – maks.: 60 ns
RDS On - Drain-Source Varža: 7 Ohms
Išjungimas: Shutdown
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: GaN
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.