STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 674

Turime sandėlyje:
674 Galime išsiųsti iš karto
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
2,29 € 2,29 €
1,71 € 17,10 €
1,57 € 39,25 €
1,40 € 140,00 €
1,32 € 330,00 €
1,27 € 622,30 €
1,23 € 1 205,40 €
1,17 € 3 439,80 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Kūrimo priemonių rinkinys: EVLSTDRIVEG611
Jautrus drėgmei: Yes
Darbinė Maitinimo Srovė: 1.02 nA
Išvesties Įtampa: 220 V
Gaminio tipas: Gate Drivers
Vėlinimo trukmė – maks.: 60 ns
RDS On - Drain-Source Varža: 7 Ohms
Išjungimas: Shutdown
Gamyklinės pakuotės kiekis: 490
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: GaN
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.