Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STD80N6F7

Name: STMicroelectronics STD80N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N6F7
Price: 0.29 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STD80N6F7

Mfr. #:

STD80N6F7

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STD80N6F7 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STD80N6F7

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 2500 Užsakoma po 2500

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,298 €	745,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DPAK-3 (TO-252-3)
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	60 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	40 A
RDS On - Drain-Source Varža:	8 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Qg – vartų krūvis:	25 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	100 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	7.8 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	17.6 ns
Serija:	STD80N6F7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	24.4 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	15 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	360 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STD80N6F7 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.