Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STD80N4F6

Name: STMicroelectronics STD80N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N4F6
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STD80N4F6

Mfr. #:

STD80N4F6

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STD80N4F6 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STD80N4F6

Prieinamumas: 2 946

Turime sandėlyje:: 2 946 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	2,09 €	2,09 €
	1,34 €	13,40 €
	0,912 €	91,20 €
	0,727 €	363,50 €
	0,668 €	668,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,614 €	1 535,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DPAK-3 (TO-252-3)
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	80 A
RDS On - Drain-Source Varža:	6 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	36 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	70 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Prekinis pavadinimas:	STripFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11.9 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	7.6 ns
Serija:	STD80N4F6
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	46.1 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	10.5 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	330 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STD80N4F6 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.