Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCTWA90N65G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA90N65G2V-4
Price: 24.85 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SCTWA90N65G2V-4

Mfr. #:

SCTWA90N65G2V-4

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

SCTWA90N65G2V-4 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4

Prieinamumas: 151

Turime sandėlyje:: 151 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 151 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	24,85 €	24,85 €
	18,94 €	189,40 €
	17,48 €	1 748,00 €
	15,70 €	9 420,00 €

Panašus Produktas

Gam.:

STMicroelectronics

Mfr. #:

SCT018W65G3-4AG

Aprašymas:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	HiP-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	119 A
RDS On - Drain-Source Varža:	24 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	157 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 200 C
Pd - skaidos galia:	565 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	16 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	38 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	600
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	58 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	26 ns
Vieneto Svoris:	6,080 g