MASTERGAN5TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN5TR
MASTERGAN5TR

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 3000   Užsakoma po 3000
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
3,56 € 10 680,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Tray
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
6,40 €
Min.:
1

Panašus Produktas

STMicroelectronics MASTERGAN5
STMicroelectronics
Gate Tvarkyklės High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: GaN
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Tailandas
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.