MASTERGAN2TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN2TR
MASTERGAN2TR

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 883

Turime sandėlyje:
2 883 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 2883 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
5,78 € 5,78 €
4,45 € 44,50 €
4,11 € 102,75 €
3,75 € 375,00 €
3,58 € 895,00 €
3,47 € 1 735,00 €
3,38 € 3 380,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
3,17 € 9 510,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Tray
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
10,79 €
Min.:
1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.