FERD40H100SFP

STMicroelectronics
511-FERD40H100SFP
FERD40H100SFP

Gam.:

Aprašymas:
Lygintuvai 100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD)

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 4

Turime sandėlyje:
4
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000
Tikėtina 2026-03-02
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
0,722 € 0,72 €
0,547 € 5,47 €
0,523 € 52,30 €
0,504 € 252,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Lygintuvai
RoHS:  
Through Hole
TO-220FPAB-3
100 V
40 A
Standard Recovery Rectifier
Single
645 mV
440 A
190 uA
- 65 C
+ 175 C
FERD40H100S
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Gaminys: Rectifiers
Gaminio tipas: Rectifiers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 50
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Vieneto Svoris: 2 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

FERD Field Effect Rectifiers

STMicroelectronics Field-Effect Rectifier Diodes (FERDs) help improve applications with designs focusing on trade-off upgrades. The design of the FERDs has allowed both a decrease in the voltage drop and a decrease in the leakage current temperature coefficient. As a result, the runaway safety margin is improved and maybe beyond the typical safety margin of Schottky barrier diodes. Depending on the targeted application and its voltage, developers can now choose the best compromise in terms of forward voltage drop (VF) and leakage current (IR).