EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Gam.:

Aprašymas:
Power Management IC Development Tools Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
73,05 € 73,05 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Power Management IC Development Tools
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
4.75 V to 20 V
STDRIVEG600
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Pakavimas: Bulk
Gaminio tipas: Power Management IC Development Tools
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8473302000
USHTS:
9030890100
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Italija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.