Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 7.24 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

227-TP65H070G4PS

Mfr. #:

TP65H070G4PS

Gam.:

Renesas Electronics

Aprašymas:

GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Duomenų Lapas:

TP65H070G4PS Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Renesas Electronics TP65H070G4PS

Prieinamumas: 959

Turime sandėlyje:: 959 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,24 €	7,24 €
	3,93 €	39,30 €
	3,60 €	360,00 €
	3,04 €	1 520,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	2,88 €	2 880,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Renesas Electronics
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	29 A
RDS On - Drain-Source Varža:	85 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.7 V
Qg – vartų krūvis:	9 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	96 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	SuperGaN
Prekės Ženklas:	Renesas Electronics
Rudens laikas:	7.2 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	6.2 ns
Serija:	Gen IV SuperGaN
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	56 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	43.4 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TP65H070G4PS Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:: Filipinai
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN^® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. The TP65H070G4PS combines high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in a three-lead TO-220 package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 26W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN platform from Renesas Electronics uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.