+370 64003780

TTI specialistų šeimos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780 Atsiliepimai

Pakeisti vietovę

Prieinamumas

RoHS

Gam.	Mfr. #:	Kiekis	Išplėst. bendra suma

Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TP65H050WS

Name: Renesas Electronics TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050WS
Price: 17.27 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

227-TP65H050WS

Mfr. #:

TP65H050WS

Gam.:

Renesas Electronics

Eksploatacijos Laikotarpis:

Netinkama eksploatuoti:

Planuojama, kad gaminys taps nebenaudojamas ir gamintojas jo nebetieks.

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 67 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Didesniam nei 67 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Gam.:

Renesas Electronics

Mfr. #:

TP65H050G4WS

Aprašymas:

GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Renesas Electronics
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	36 A
RDS On - Drain-Source Varža:	60 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.3 V
Qg – vartų krūvis:	24 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	119 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	11 ns
Serija:	TP65H
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	86 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	51 ns
Vieneto Svoris:	6 g