Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RGS30TSX2HRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2HRC11
Price: 6.89 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RGS30TSX2HRC11

Mfr. #:

RGS30TSX2HRC11

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT

Duomenų Lapas:

RGS30TSX2HRC11 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11

Prieinamumas: 112

Turime sandėlyje:: 112 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	6,89 €	6,89 €
	4,01 €	40,10 €
	3,38 €	338,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247N-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	2.1 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	30 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	30 A
Pd - skaidos galia:	267 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	TH
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	500 nA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	IGBTs
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	RGS30TSX2HR

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RGS30TSX2HRC11 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBTs

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter use in automotive and industrial applications. The RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs

ROHM Semiconductor RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs are AEC-Q101-rated automotive IGBTs available in 1200V and 650V variants. These IGBTs deliver class-leading low conduction loss that reduces the size and improves the efficiency of applications. The RGS IGBTs utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help to achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. ROHM Semiconductor RGS IGBTs provide increased energy savings in various high voltage and high current applications.