Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

R6009KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6009KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6009KNXC7G
Price: 2.99 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-R6009KNXC7G

Mfr. #:

R6009KNXC7G

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

Duomenų Lapas:

R6009KNXC7G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor R6009KNXC7G

Prieinamumas: 1 727

Turime sandėlyje:: 1 727 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,99 €	2,99 €
	1,57 €	15,70 €
	1,41 €	141,00 €
	1,15 €	575,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220FM-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	9 A
RDS On - Drain-Source Varža:	535 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	16.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	48 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	28 ns
Tiesioginis laidumas - min:	2.3 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	33 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	37 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	20 ns
Tranzistoriaus tipas:	Power MOSFET
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	R6009KNX

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

R6009KNXC7G Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification 2024-07-15 (PDF)

Specification Sheets

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R60/R65 N-Ch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R60/R65 N-Ch Power MOSFETs provide a single channel output with 600V or 650V drain-source voltage in TO-220FM-3/SOT-223-3 packages. The R60/R65 MOSFETs have an operating temperature from -55°C to 150°C/155°C and power dissipation options of 7.8W, 6.6W, 12.3W, 9.1W, 40W, 46W, 48W, 53W, 68W, 74W, or 86W. The R60/R65 N-Ch Power MOSFETs are ideal for switching applications.