Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

2SCR502EBHZGTL

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-2SCR502EBHZGTL

Mfr. #:

2SCR502EBHZGTL

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL

Eksploatacijos Laikotarpis:

NRND:

Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.

Duomenų Lapas:

2SCR502EBHZGTL Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor 2SCR502EBHZGTL

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Nėra

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Kainodara (EUR)

Prašyti Pasiūlymo

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	Dvipoliai tranzistoriai – BJT
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SOT-416-3
Tranzistoriaus poliškumas:	NPN
Configuration:	Single
Didžiausia nuolatinės srovės kolektoriaus srovė:	500 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	300 mV
Pd - skaidos galia:	150 mW
Gain Juostos pločio produktas fT:	360 MHz
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
DC kolektoriaus / bazės gain, hfe, min:	200 at 100 mA, 2 V
DC srovės gain, hFE, maks.:	500 at 100 mA, 2 V
Gaminio tipas:	BJTs - Bipolar Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	2SCR502EBHZG

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

2SCR502EBHZGTL Duomenų Lapas (PDF)

Other

Specification Sheets

Datasheet - Japanese

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Tailandas
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs)

ROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. The 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T_stg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T_J) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.

AEC-Q101 Qualified Transistors

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Qualified Transistors feature NPN, PNP, and dual transistors with or without built-in resistors. These transistors include middle power transistors, low-frequency amplifiers, general-purpose digital (bias resistor built-in) transistors, dual digital transistors, and medium power transistors. The AEC-Q101-qualified transistors offer variants with V_CC, V_CEO, and I_C ratings. These transistors feature built-in bias resistors, enabling the desired configuration without connecting external input resistors.