QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Gam.:

Aprašymas:
RF JFET tranzistoriai 0.25 mm Pwr pHEMT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 100

Turime sandėlyje:
100 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 100 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 100   Užsakoma po 100
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 100)
10,09 € 1 009,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Qorvo
Gaminio kategorija: RF JFET tranzistoriai
RoHS:  
pHEMT
Reel
Prekės Ženklas: Qorvo
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: US
Gaminio tipas: RF JFET Transistors
Serija: QPD2025D
Gamyklinės pakuotės kiekis: 100
Subkategorija: Transistors
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.