Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 1876.49 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

772-QPD1003

Mfr. #:

QPD1003

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Duomenų Lapas:

QPD1003 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Qorvo QPD1003

Prieinamumas: 16

Turime sandėlyje:: 16 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 16 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 876,49 €	1 876,49 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Qorvo
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	RF-565
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	50 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	15 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	- 2.8 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Pd - skaidos galia:	370 W
Prekės Ženklas:	Qorvo
Configuration:	Single
Kūrimo priemonių rinkinys:	QPD1003PCB401
Gain:	19.9 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	1.4 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	1.2 GHz
Jautrus drėgmei:	Yes
Išvesties Galia:	540 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Serija:	QPD1003
Gamyklinės pakuotės kiekis:	18
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	145 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	1131389
Vieneto Svoris:	104,655 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

QPD1003 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.