+370 64003780

TTI specialistų šeimos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780 Atsiliepimai

Prieinamumas

RoHS

Gam.	Mfr. #:	Kiekis	Išplėst. bendra suma

Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MRFX1K80N

Mouser #:

Nepriskirta

Mfr. #:

MRFX1K80N

Gam.:

NXP Semiconductors

Duomenų Lapas:

Turime sandėlyje:: Nėra sandėlyje, skambinkite ir užklauskite

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	NXP
Gaminio kategorija:	RD MOSFET tranzistoriai
Tranzistoriaus poliškumas:	Dual N-Channel
Technologijos:	Si
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	43 A
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	- 500 mV, 179 V
Darbinis Dažnis:	1.8 MHz to 400 MHz
Gain:	24.4 dB
Išvesties Galia:	1.8 kW
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	OM-1230-4
Prekės Ženklas:	NXP Semiconductors
Tiesioginis laidumas - min:	44.7 S
Kanalų skaičius:	2 Channel
Pd - skaidos galia:	3.333 kW
Gaminio tipas:	RF MOSFET Transistors
Serija:	MRFX1K80
Subkategorija:	MOSFETs
Tipas:	RF Power MOSFET
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 6 V, + 10 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.1 V