MT41K512M8DA-093:P

Micron
340-265839-TRAY
MT41K512M8DA-093:P

Gam.:

Aprašymas:
DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT

Eksploatacijos Laikotarpis:
Patikrinkite Būseną su Gamykla:
Informacija apie eksploatacijos laiką neaiški. Norėdami patikrinti, ar gamintojas gali pateikti šį numerį, gaukite pasiūlymą.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 191

Turime sandėlyje:
2 191 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 2191 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1   Maks. 2191
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
14,04 € 14,04 €
13,47 € 134,70 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Micron Technology
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
1.066 GHz
FBGA-78
512 M x 8
13.09 ns
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Prekės Ženklas: Micron
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1440
Subkategorija: Memory & Data Storage
Vieneto Svoris: 1,233 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.