Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSCSM120AM042CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM042CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-M120AM042CT6LIAG
Price: 590.86 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

494-M120AM042CT6LIAG

Mfr. #:

MSCSM120AM042CT6LIAG

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

MSCSM120AM042CT6LIAG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSCSM120AM042CT6LIAG

Prieinamumas: 5

Turime sandėlyje:: 5 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 5 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	590,86 €	590,86 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Gaminys:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipas:	MOSFET / SiC SBD
Technologijos:	SiC
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SP6
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	67 ns
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	495 A
Pd - skaidos galia:	2.031 kW
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
RDS On - Drain-Source Varža:	5.2 mOhms
Kilimo Laikas:	55 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Discrete Semiconductor Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	166 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	56 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.8 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MSCSM120AM042CT6LIAG Duomenų Lapas (PDF)

DTS

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.