Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSC080SMA330B4N

Name: Microchip MSC080SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA330B4N
Price: 54.27 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

579-MSC080SMA330B4N

Mfr. #:

MSC080SMA330B4N

Gam.:

Microchip Technology

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 69

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 150

Tikėtina 2026-02-23
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 4

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	3.3 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	41 A
RDS On - Drain-Source Varža:	105 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.97 V
Qg – vartų krūvis:	55 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	381 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	32 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	25 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	34 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel