Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSC050SDA120B

Name: Microchip MSC050SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120B
Price: 14.55 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

494-MSC050SDA120B

Mfr. #:

MSC050SDA120B

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

MSC050SDA120B Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSC050SDA120B

Prieinamumas: 52

Turime sandėlyje:: 52

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 120

Tikėtina 2026-04-13
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 7

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	14,55 €	14,55 €
	13,42 €	402,60 €
	11,68 €	1 401,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	50 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	290 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	200 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	MSC0
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Pd - skaidos galia:	429 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vieneto Svoris:	12 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.