APTGX600A170TDP3EG

Microchip Technology
579-TGX600A170TDP3EG
APTGX600A170TDP3EG

Gam.:

Aprašymas:
Igbt Moduliai PM-IGBT-TFS-DP3

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
10
Tikėtina 2026-05-04
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
28
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
190,89 € 190,89 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Microchip
Gaminio kategorija: Igbt Moduliai
RoHS:  
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.7 V
600 A
200 nA
2.272 kW
- 40 C
+ 175 C
Prekės Ženklas: Microchip Technology
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: Not Available
Didžiausia vartų emiterio įtampa: 20 V
Montavimo stilius: Press Fit
Gaminio tipas: IGBT Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Discrete and Power Modules
Technologijos: Si
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower VCE(sat) and Vf, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at Tj +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.