MTD8600N4-T

Marktech Optoelectronics
193-MTD8600N4-T
MTD8600N4-T

Gam.:

Aprašymas:
Phototransistors Photo Diode 880nm

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Gamintojo numatytas pristatymo laikas
10 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
5,59 € 5,59 €
4,20 € 42,00 €
3,39 € 339,00 €
3,03 € 1 515,00 €
2,81 € 2 810,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Marktech Optoelectronics
Gaminio kategorija: Phototransistors
RoHS:  
TO-18-2
Through Hole
880 nm
50 mA
30 V
30 V
200 mV
100 nA
10 us
10 us
250 mW
- 30 C
+ 100 C
Phototransistors
Prekės Ženklas: Marktech Optoelectronics
Pakavimas: Bulk
Gaminio tipas: Phototransistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Optical Detectors & Sensors
Bangos ilgis: 880 nm
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
USHTS:
8541491050
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Japonija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Photodiodes

Marktech Optoelectronics Photodiodes provide the optimum balance between low dark current, high speed, and light sensitivity. The features of the Photodiodes allow for increased flexibility and options in a variety of applications, ranging from fiber optics and high-speed optical communications to medical and chemical analysis.

Phototransistors

Marktech Optoelectronics Phototransistors are solid-state light detectors with internal gain designed to detect visible, ultraviolet, and near-infrared light. These silicon phototransistors offer unparalleled sensitivity, signal amplification, and versatility, making them indispensable for a wide range of applications across diverse industries. The phototransistors feature high precision, reliability, and exceptional performance, enabling light sensing and detection. These phototransistors are available with a broad spectral response, including the visible, UV, and near‑infrared regions. The phototransistors feature high sensitivity, enabled by internal gain, for stronger analog or digital output signals. Typical applications include optical encoders and interior light sensing within vehicle subsystems, consumer electronics and wearables, robotics, and industrial subsystems.