CGHV40200PP

MACOM
941-CGHV40200PP
CGHV40200PP

Gam.:

Aprašymas:
GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas: 35

Turime sandėlyje:
35 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
518,55 € 518,55 €
457,42 € 4 574,20 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
MACOM
Gaminio kategorija: GaN FET
Siuntimo apribojimai:
 Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:  
Screw Mount
440199
N-Channel
150 V
8.7 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
166 W
Prekės Ženklas: MACOM
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: US
Kūrimo priemonių rinkinys: CGHV40200PP-AMP1
Gain: 16.1 dB
Didžiausias darbinis dažnis: 1.9 GHz
Minimalus darbinis dažnis: 1.7 GHz
Išvesties Galia: 250 W
Pakavimas: Tray
Gaminio tipas: GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 25
Subkategorija: Transistors
Technologijos: GaN
Tranzistoriaus tipas: GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa: - 10 V, 2 V
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.