IM2G16D2DBBG-25

Intelligent Memory
822-IM2G16D2DBBG-25
IM2G16D2DBBG-25

Gam.:

Aprašymas:
DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 257

Turime sandėlyje:
257 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
46,69 € 46,69 €
43,16 € 431,60 €
41,77 € 1 044,25 €
40,72 € 2 036,00 €
39,71 € 3 971,00 €
38,38 € 8 021,42 €
418 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Intelligent Memory
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
2 Gbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
128 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
0 C
+ 95 C
IM2G16D2
Tray
Prekės Ženklas: Intelligent Memory
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 209
Subkategorija: Memory & Data Storage
Maitinimo Srovė - Maks.: 58 mA
Vieneto Svoris: 194 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Double Data Rate 2 (DDR2) SDRAM

Intelligent Memory Double Data Rate (DDR2) Synchronous DRAM (SDRAM) are eight-bank devices that achieve high-speed data transfer rates. Interleaving the eight memory banks allows random access operations faster than standard DRAMs. A chip architecture prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. All control, address, and circuits are synchronized with the positive edge of an externally supplied clock. In a source-synchronous manner, I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes. A sequential, gapless data rate is possible depending on the device's burst length, CAS latency, and speed grade.