IRS2153DPBF
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
Gate Tvarkyklės Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
Prieinamumas: 956
-
Turime sandėlyje:
-
956 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| 3,33 € | 3,33 € | |
| 2,48 € | 24,80 € | |
| 2,26 € | 56,50 € | |
| 2,03 € | 203,00 € | |
| 1,92 € | 480,00 € | |
| 1,87 € | 935,00 € | |
| 1,78 € | 1 780,00 € | |
| 1,73 € | 5 190,00 € | |
| 1,69 € | 10 140,00 € |
Panašus Produktas
Duomenų Lapas
Application Notes
- Bootstrap Network Analysis: Focusing on the Integrated Bootstrap Functionality (PDF)
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS2153(1)D and IR2153(1)/IR2153(1)D Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
EOL
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Kilmės šalis:
- Taivanas
- Šalis, kurioje pagaminta:
- Kinija
- Distribucijos šalis:
- Taivanas
Lietuva

The factory is currently not accepting orders for this product.