IR21834STRPBF
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
Gate Tvarkyklės Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
Prieinamumas: 6 133
-
Turime sandėlyje:
-
6 133 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Nukerpama juosta / „MouseReel™“ | ||
| 2,12 € | 2,12 € | |
| 1,57 € | 15,70 € | |
| 1,44 € | 36,00 € | |
| 1,29 € | 129,00 € | |
| 1,22 € | 305,00 € | |
| 1,18 € | 590,00 € | |
| 1,13 € | 1 130,00 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 2500) | ||
| 1,04 € | 2 600,00 € | |
Alternatyvi pakuotė
Duomenų Lapas
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Lietuva
