Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH50NE2LM7UCGS
Price: 2.73 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IQEH50NE2LM7UCGS

Mfr. #:

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Prieinamumas: 4 162

Turime sandėlyje:: 4 162 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,73 €	2,73 €
	1,78 €	17,80 €
	1,36 €	136,00 €
	1,14 €	570,00 €
	0,972 €	972,00 €
	0,929 €	2 322,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 6000)
	0,901 €	5 406,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	25 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	298 A
RDS On - Drain-Source Varža:	500 uOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	16 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Qg – vartų krūvis:	27 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	150 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	OptiMOS
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4.4 ns
Tiesioginis laidumas - min:	110 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	2 ns
Serija:	OptiMOS 7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	6000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	29 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	7 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IQEH50NE2LM7UCGSC SP006055383

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.