Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IPW65R019C7

Name: Infineon IPW65R019C7
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R019C7
Price: 19.48 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IPW65R019C7

Mfr. #:

IPW65R019C7

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

Duomenų Lapas:

IPW65R019C7 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IPW65R019C7

Prieinamumas: 775

Turime sandėlyje:: 775 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	19,48 €	19,48 €
	14,55 €	145,50 €
	12,58 €	1 258,00 €
	11,90 €	5 712,00 €
1 200	Pasiūlymas

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

IPW65R019C7FKSA1

Pakuotė:

Tube

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

21,42 €

Min.:

Panašus Produktas

Gam.:

Infineon Technologies

Mfr. #:

IPW65R019C7FKSA1

Aprašymas:

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	75 A
RDS On - Drain-Source Varža:	19 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Qg – vartų krūvis:	215 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	446 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolMOS
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	27 ns
Serija:	CoolMOS C7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	240
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	106 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SP000928646 IPW65R019C7FKSA1
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IPW65R019C7 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Vokietija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Vokietija

Šalis gali keistis siuntimo metu.

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low R_DS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest R_DS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D²PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

Fast DC EV Charging Solutions

Infineon Technologies Fast DC Electric Vehicle (EV) Charging Solutions address the needs for e-mobility. With the ever-growing number of electric vehicles on the market and pressure from governments to reduce vehicle emissions to zero by 2050, there is a great need for more efficient charging solutions. As various consumer studies show, the acceptance of electromobility depends largely on the availability and duration of the charging process. High-power DC charging stations are the answer to these market requirements. Today, a typical electric vehicle can charge about 80% of its battery capacity in less than 10 minutes. This is comparable to refueling a conventional car with an internal combustion engine. Infineon helps bring energy-efficient DC fast-charging designs to life. Benefit from a comprehensive, ready-to-implement one-stop product and design portfolio that covers the entire product range from power conversion, microcontrollers, security, auxiliary power supply, and communication.