IPT60R180CM8XTMA1

Infineon Technologies
726-IPT60R180CM8XTMA
IPT60R180CM8XTMA1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 754

Turime sandėlyje:
2 754 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,29 € 2,29 €
1,37 € 13,70 €
0,989 € 98,90 €
0,82 € 410,00 €
0,771 € 771,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
0,719 € 1 438,00 €
0,696 € 2 784,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
4.7 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Rudens laikas: 12.8 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 6 ns
Serija: 600V CM8
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 88.4 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17.2 ns
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IPT60R180CM8 SP005578053
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs are housed in the SMD TO-Leadless (TOLL) package using the Kelvin source concept. The G7 MOSFETs combine improved 600V and 650V CoolMOS™ G7 technology, 4-pin Kelvin source capability, and the improved thermal properties of the TO-Leadless package. This enables an SMD solution for high current hard switching topologies like power factor correction (PFC) up to 3kW. For the 600V CoolMOS™ G7, the MOSFETs can be used for resonant circuits like high-end LLC.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.