IPLK60R1K0PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPLK60R1K0PFD7AT
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs LOW POWER_NEW

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 3

Turime sandėlyje:
3 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,35 € 1,35 €
0,851 € 8,51 €
0,564 € 56,40 €
0,445 € 222,50 €
0,402 € 402,00 €
0,369 € 922,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
0,354 € 1 770,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
650 V
5.2 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
31.3 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: MY
Gaminio tipas: MOSFETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 5000
Subkategorija: Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IPLK60R1K0PFD7 SP005354001
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.